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新式结构线锯切开晶体硅片特性研讨
来源:http://www.bandhig.com 责任编辑:w66利来国际老牌 更新日期:2019-02-13 10:34
新式结构线锯切开晶体硅片特性研讨 摘要:经过双向结构线锯切开晶体硅片实验,剖析了切片外表的微观描摹特色,研讨了砂浆用量与进给速度对硅片外表粗糙度(Ra)、总厚度误差(TTV)、翘曲度的影响巨细。成果表明:结构线锯切开晶体硅片外表参数正常,契合检

  新式结构线锯切开晶体硅片特性研讨

  摘要:经过双向结构线锯切开晶体硅片实验,剖析了切片外表的微观描摹特色,研讨了砂浆用量与进给速度对硅片外表粗糙度(Ra)、总厚度误差(TTV)、翘曲度的影响巨细。成果表明:结构线锯切开晶体硅片外表参数正常,契合检测规范,为切开功率进步,本钱下降拓荒了一条新的路途。

  关键词 结构线锯 晶体硅片 切开

  1 导言

  现在,太阳能硅片制作工艺首要流程为:单晶拉直或多晶浇铸—开方—磨面和倒角—硅晶棒切片——清洗—分拣包装。亚美娱乐优惠多一些,切片是把硅晶棒变为硅晶片的一道重要工序,其切片质量的好坏直接影响后续加工工序及终究加工质量。现在,切片的首要办法有两种:一是运用钢线锯高速运转带动悬浮在PEG中的碳化硅磨削晶棒完成切片;二是直接运用钢线外表镶嵌或电镀有金刚石的金刚线锯磨削晶棒块完成切片[1-4]。由于第二种切片办法需要对现有设备进行改造,费用贵重,且还需要改善电池片工艺,因而没有广泛推行运用。而第一种工艺也存在切片质量不稳地,本钱偏高的缺陷,因而,怎么进步硅片切开质量,下降本钱是各个硅片生产厂家迫切需要处理的问题。

  本文进行了结构线锯双向切开硅片的实验,剖析了切片外表微观描摹特色及构成原因,研讨了工艺参数对硅片的外表粗糙度、总厚度误差(TTV)、翘曲度与亚外表损害层厚度(SSD)的影响,并对实验成果进行了剖析。

  2 试 验

  2.1 实验办法

  图1 瑞士梅耶博格DS264型切片机示意图

  本实验选用瑞士梅耶博格DS264型切片机进行双向结构线锯实验。图1为此切开设备的示意图。

  2.2 实验计划与硅片质量点评

  由于结构线锯具有下降砂浆用量,进步切开功率的长处,所以本文实验计划将以砂浆用量和切开进给进行两因子两水平进行实验。实验后检测硅片厚度和外表粗糙,以及切开后钢线锯和碳化硅磨损值,并与直钢线锯切开进行比照剖析。

  加工参数与切开条件如表1所示。运用基恩士3D扫描显微镜调查切开的硅片外表描摹[5];运用蔡司电子显微镜观查碳化硅描摹;选用TR200型外表粗糙度丈量仪沿工件进给方向丈量硅片的外表线痕深度(Rt值);选用WA-200硅片厚度电阻率测试仪丈量硅片厚度差值(TTV值);选用EXPLOIT塞尺丈量硅片翘曲度。


 

  表1 结构线锯切开条件与加工参数

 
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